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我國主導半導體線寬檢測標準發(fā)布

2020-03-10 12:55:13來源：儀器網(wǎng)關(guān)鍵詞：半導體閱讀量：4133

導讀：日前，標準化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項標準：基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法。這是半導體線寬測量標準，也是半導體檢測領(lǐng)域由中國主導制定的標準。

　　【儀器網(wǎng) 行業(yè)要聞】日前，標準化組織(ISO)正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項標準：基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法。這是半導體線寬測量標準，也是半導體檢測領(lǐng)域由中國主導制定的標準。

　　半導體或芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中小的特征尺寸稱為關(guān)鍵尺寸，對關(guān)鍵尺寸測量也可稱為納米尺度線寬測量。關(guān)鍵尺寸表示制作半導體或芯片的技術(shù)節(jié)點，線寬越小，集成的元件就越多，在同一面積上就可以集成更多電路單元，同時功耗也越低。但是相應(yīng)的，制作工藝也會越來越復雜。因此線寬大小是半導體制造工藝先進水平的主要指標。納米級的關(guān)鍵尺寸測量不確定度控制非常困難，具有精確測量算法的測量方法是關(guān)鍵尺寸評估的關(guān)鍵。

　　半導體線寬測量標準由中國科學技術(shù)大學物理學院和微尺度物質(zhì)科學國家研究中心丁澤軍團隊主導制定。丁澤軍團隊在臨界尺寸掃描電子顯微鏡測量半導體關(guān)鍵尺寸方法的基礎(chǔ)上，利用表面電子能譜學的Monte Carlo模擬計算方法構(gòu)建 “基于模型數(shù)據(jù)庫”方法，提供偏差更小，尺寸和形狀精度更高的結(jié)果。該方法適用于確定樣品的線寬，例如晶圓上的柵極，光掩模，尺寸小于10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案。

　　由我國主導的半導體線寬檢測標準發(fā)布標志著我國半導體測評技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)得到了認同，也意味著我國的半導體產(chǎn)業(yè)將在世界上擁有更大的影響力。半導體行業(yè)是經(jīng)濟的焦點領(lǐng)域。作為技術(shù)要求極高的行業(yè)，國產(chǎn)企業(yè)在這一方面與美、韓仍有較大差距，因此國家十分重視半導體行業(yè)的發(fā)展。

　　團隊在標準的研究上得到科技部973項目、國家自然科學基金委和中科大超算中心的支持。未來如何積累優(yōu)勢，在半導體行業(yè)上趕上甚至超過美、韓，仍需要研究人員繼續(xù)努力。

　　資料來源：科學網(wǎng)

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