光電子技術(shù)是由光子技術(shù)和電子技術(shù)結(jié)合而成的新技術(shù)，涉及光顯示、光存儲、激光等領(lǐng)域，是未來信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)。我國國內(nèi)光電子有關(guān)產(chǎn)業(yè)基地在光電子器件，部件和子系統(tǒng)(如激光器，探測器，光收發(fā)模塊，EDFA，無源光器件)等方面初步具備同國外大公司競爭的能力。但是，我國光電子技術(shù)科研開發(fā)主要處于跟蹤和小批量生產(chǎn)階段，在機(jī)制上仍未擺脫科研，生產(chǎn)，市場相互脫離的狀況。
 

　　光電子信息產(chǎn)業(yè)是應(yīng)用廣泛的戰(zhàn)略高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，也是我國有條件率先實(shí)現(xiàn)突破的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。建設(shè)“世界光谷”是深入落實(shí)習(xí)近平總書記考察湖北武漢重要講話精神的生動實(shí)踐，有利于推動我國光電子信息產(chǎn)業(yè)率先實(shí)現(xiàn)突破，提升我國在全球發(fā)展大局中的戰(zhàn)略位勢；是加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)的內(nèi)在要求，有利于加快推動武漢具有全國影響力的科技創(chuàng)新中心建設(shè)，加速構(gòu)筑安全可控、“以我為主”的光電子信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)體系，塑造更多依靠創(chuàng)新驅(qū)動的引領(lǐng)性發(fā)展；是聚力培育世界級產(chǎn)業(yè)集群、全面推進(jìn)中國式現(xiàn)代化的現(xiàn)實(shí)需求，有利于推動中部地區(qū)構(gòu)建以先進(jìn)制造業(yè)為支撐的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系，促進(jìn)國內(nèi)市場形成良性循環(huán)，塑造參與國際合作和競爭新優(yōu)勢；是東湖高新區(qū)實(shí)現(xiàn)突破性發(fā)展的必由之路，有利于將東湖高新區(qū)建設(shè)成為新時代國家高新區(qū)創(chuàng)新發(fā)展標(biāo)桿、世界領(lǐng)先科技園區(qū)和全球創(chuàng)業(yè)者向往之地，全面增強(qiáng)武漢新城輻射帶動能力，打造以武鄂黃黃為核心的武漢都市圈。
 

　　近日，為深入貫徹落實(shí)黨的二十大精神、習(xí)近平總書記關(guān)于湖北工作重要講話和指示批示精神，高水平建設(shè)“世界光谷”，打造湖北建設(shè)全國構(gòu)建新發(fā)展格局先行區(qū)的前沿陣地，實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，湖北省政府發(fā)布《加快“世界光谷”建設(shè)行動計劃》(以下簡稱《行動計劃》)，提出推動“世界光谷”建設(shè)全面起勢、加力提速，將其打造成為世界創(chuàng)新版圖重要一極、全球光電子信息產(chǎn)業(yè)地標(biāo)和世界知名科技新城。
 

　　《行動計劃》計劃表示，深入實(shí)施“尖刀”技術(shù)攻關(guān)工程，深入探索關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)新型舉國體制“光谷方案”。創(chuàng)新“產(chǎn)學(xué)研用一體化”機(jī)制，以企業(yè)為主體，聯(lián)合高校院所、產(chǎn)業(yè)基金、公共平臺、行業(yè)協(xié)會等資源協(xié)同攻關(guān)。聚焦高端芯片、關(guān)鍵設(shè)備、基礎(chǔ)原材料、基礎(chǔ)軟件等領(lǐng)域，突破存儲芯片、超高速光收發(fā)模塊專用芯片、功率半導(dǎo)體芯片、傳感芯片、光纖傳感網(wǎng)絡(luò)用特種光芯片與器件、OLED有機(jī)發(fā)光材料、超快激光器種子源、工業(yè)基礎(chǔ)軟件等一批產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)。
 

　　《行動計劃》提出，到2025年，力爭實(shí)現(xiàn)“五個一”目標(biāo)，即打造1個國家實(shí)驗室、開展100項關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)、誕生1家千億級科技領(lǐng)軍企業(yè)、培育1萬家高新技術(shù)企業(yè)、形成1個萬億產(chǎn)業(yè)集群，“中國光谷”世界影響力初步顯現(xiàn)，成為“世界光谷”建設(shè)的先鋒力量和代表國家參與全球競爭的重要戰(zhàn)略科技力量。到2035年，建設(shè)起世界一流的科研平臺、人才隊伍、領(lǐng)軍企業(yè)、科創(chuàng)金融和體制機(jī)制，建成具有全球影響力的“世界光谷”。