多功能數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量 儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、 GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。

多功能數(shù)字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量 儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、 GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。
      儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺等部分組成。
主機主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設定、功能轉換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；電壓電流全自動轉換量程；測試結果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀特贈設測試結果分類功能，zui大分類10類。
      探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍 金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試 夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
      測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選SZT-K型測試臺，也 可選配SZT-D型測試臺以測試半導體粉末電阻率，選配SZT-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。
儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。 

基本技術參數(shù)

1. 測量范圍、分辨率（括號內為可向下拓展1個數(shù)量級）
    電    阻：10.0×10^-6 ～ 200.0×10³  Ω,    分辨率1.0×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω 
               （1.0×10^-6 ～ 20.00×10³  Ω,    分辨率0.1×10-⁶ ～ 0.01×10³ Ω）
    電 阻 率：10.0×10^-6 ～ 200.0×10³ Ω-cm   分辨率1.0×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω-cm 
               （1.0×10^-6 ～ 20.00×10³ Ω-cm  分辨率0.1×10^-6 ～ 0.01×10³ Ω-cm）
    方塊電阻：50.0×10^-6 ～ 1.0×10⁶ Ω/□    分辨率5.0×10^-6 ～ 0.5×10³  Ω/□  
               （5.0×10^-6 ～ 100.0×10³ Ω/□  分辨率0.5×10^-6 ～ 0.1×10³  Ω/□）
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定) 
    直    徑： SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
    SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限. 
     長(高)度：  測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限. 
     測量方位:  軸向、徑向均可
3. 量程劃分及誤差等級 

4.工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W 
5.外形尺寸： 245mm（長）×220 mm（寬）×95mm（高）  
   凈   重：≤1.5～2.0kg