硬件參數(shù)指標

高分辨的三維定位裝置：

步進電機XYZ分辨率：8nm  (CHI900D)

步進電機加閉環(huán)壓電晶體XYZ分辨率：1.6nm (CHI920D)

XYZ移動距離：50 mm

恒電位儀/雙恒電位儀

·  零阻電流計

·  2，3，4電極結構

·  浮動地線或實地

·  兩個通道大電位范圍： ±10 V

·  大電流：±250 mA 連續(xù)（兩個通道電流之和）, ±350 mA峰值

·  槽壓：±13 V

·  恒電位儀上升時間： 小于 1 ms, 通常 0.8 ms

·  恒電位儀帶寬（-3分貝）：1 MHz

·  所加電位范圍：±10 mV, ±50 mV, ±100 mV, ±650 mV, ±3.276 V, ±6.553 V, ±10 V

·  所加電位分辨：電位范圍的0.0015%

·  所加電位準確度： ±1 mV,±滿量程的0.01%

·  所加電位噪聲：< 10 mV 均方根植

·  測量電流范圍：±10 pA 至 ±0.25 A， 12量程

·  測量電流分辨：電流量程的0.0015%，低 0.3 fA

·  電流測量準確度：電流靈敏度大于等于1e-6 A/V時為0.2%，其他量程1%

·  輸入偏置電流：< 10 pA

恒電流儀

·  恒電流范圍： 3 nA – 250 mA

·  所加電流準確度：如果電流大于 3e-7A時為0.2%，其他范圍為1%，±20 pA

·  所加電流分辨率：電流范圍的0.03%

·  測量電流范圍： ±0.025 V, ±0.1 V, ±0.25 V, ±1 V, ±2.5 V, ±10 V
·  測量電位分辨率：測量范圍的0.0015%

Electrometer:  電位計

·  參比電極輸入阻抗：1e12 歐姆

·  參比電極輸入帶寬： 10 MHz

·  參比電極輸入偏置電流：<= 10 pA @ 25°C

波形發(fā)生和數(shù)據(jù)獲得系統(tǒng)

·  快速信號發(fā)生更新速率：10 MHz， 16位分辨

·  快速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)：16位分辨，雙通道同步采樣，采樣速率每秒1,000,000 點

·  外部信號記錄通道高采樣速率1M Hz

其他特點

·  自動或手動iR降補償

·  電流測量偏置：滿量程，16位分辨，0.003% 準確度

·  電位測量偏置：±10V，16位分辨，0.003% 準確度

·  外部電位輸入

·  電位和電流的模擬輸出

·  可控電位濾波器的截止頻率： 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz

·  可控信號濾波器的截止頻率： 1.5 MHz, 150 KHz, 15 KHz, 1.5 KHz, 150 Hz, 15 Hz, 1.5 Hz, 0.15 Hz

·  旋轉電極控制電壓輸出（CHI630E以上型號）：0-10V 對用于 0-10000 rpm的轉速，16位分辨，0.003% 準確度，需要某些旋轉電極裝置才能工作

·  通過宏命令可以控制數(shù)字輸入輸出線

·  內(nèi)閃存儲器可迅速更新程序

·  串行口或USB口數(shù)據(jù)通訊

·  電解池控制：通氮,攪拌,敲擊（需要特殊電解池系統(tǒng)）

·  CV數(shù)字模擬器和擬合器。用戶定義反應機理

·  交流阻抗模擬器和擬合器

·  探頭逼近曲線的模擬和擬合

·  大數(shù)據(jù)長度：256,000-16,384,000 點可選擇

·  儀器尺寸：兩個 37 cm (寬) ´ 23 cm (深) ´ 12 cm (高)

·  儀器重量: 7 kg

實驗技術

掃描探頭技術：

表面成象處理 (SPC)

探頭掃描曲線 (PSC，X，Y，Z方向)

探頭逼近曲線 (PAC)

掃描電化學顯微鏡 (SECM)

PSC和SECM允許電流，電位，常電流，阻抗檢測

電位掃描技術:

循環(huán)伏安法 (CV)

線性掃描伏安法 (LSV)

TAFEL圖 (TAFEL)

電位階躍和脈沖技術:

計時電流法 (CA)

計時電量法 (CC)

階梯波伏安法 (SCV)

差分脈沖伏安法 (DPV)

常規(guī)脈沖伏安法 (NPV)

差分常規(guī)脈沖伏安法 (DNPV)

方波伏安法 (SWV)

交流技術:

交流伏安法 (ACV)

二次諧波交流伏安法 (SHACV)

傅里葉變換交流伏安法 (FTACV)

交流阻抗 (IMP)

交流阻抗-電位 (IMPE)

交流阻抗-時間 (IMPT)

恒電流技術:

計時電位法 (CP)

電流掃描計時電位法 (CPCR)

多電流階躍 (ISTEP)

電位溶出分析 (PSA)

其它電化學測量技術:

時間-電流曲線 (i-t)

差分脈沖安培法 (DPA)

雙差分脈沖安培法 (DDPA)

三脈沖安培法 (TPA)

積分脈沖電流檢測 (IPAD)

掃描-階躍混和方法 (SSF)

多電位階躍 (STEP)

流體力學調制伏安法 (HMV)

控制電位電解庫侖法 (BE)

電化學噪聲測量 (ECN)

各種溶出伏安法

開路電位-時間曲線 (OCPT)

實驗參數(shù)

·  CV和LSV掃描速度：  0.000001V/s 至 10,000 V/s，雙通道同步掃描及采樣至10,000 V/s

·  掃描時的電位增量：0.1 mV （當掃速為 1,000 V/s時）

·  CA和CC的脈沖寬度： 0.0001 至 1000 sec

·  CA的小采樣間隔： 1 ms， 雙通道同步

·  CC的小采樣間隔： 1 ms

·  CC模擬積分器

·  DPV和NPV的脈沖寬度：0.001 至 10 sec

·  SWV頻率： 1 至 100 kHz

·  i-t 的小采樣間隔： 1 ms， 雙通道同步

·  ACV頻率范圍：0.1 至 10 kHz

·  SHACV頻率范圍：0.1 至 5 kHz

·  FTACV頻率范圍：0.1 至 50Hz，可同時獲取基波，二次諧波，三次諧波，四次諧波，五次諧波，六次諧波的ACV數(shù)據(jù)

·  交流阻抗： 0.00001 至 1 MHz

·  交流阻抗波形幅度： 0.00001 V 至 0.7 V 均方根值