薄膜熱應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)（TST）
薄膜熱應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)，采用測(cè)量光學(xué)設(shè)計(jì) MOS 傳感器，MOS 傳感器榮獲美國(guó)專(zhuān)屬，可快速準(zhǔn)確地測(cè)量薄膜的曲率、應(yīng)力強(qiáng)度、隨溫度變化的曲線關(guān)系等。
產(chǎn)品特點(diǎn)
獲得美國(guó)專(zhuān)屬技術(shù)的 MOS 多光束技術(shù)（二維激光陣列）
采用真空和低壓氣體保護(hù)，可進(jìn)行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測(cè)量
樣品快速熱處理和冷處理功能
溫度閉環(huán)控制保證適當(dāng)?shù)臏囟染鶆蛐院途?/p>
實(shí)時(shí)的應(yīng)力、曲率 VS 溫度曲線
程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描
成像功能：樣品表面 2D 曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析
測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等
氣體（氮?dú)?、氬氣和氧氣等）Delivery 系統(tǒng)
可采用泵入液氮冷卻,大冷卻速率 100°C/min
技術(shù)原理
本測(cè)試系統(tǒng)采用非接觸 MOS 激光技術(shù)；不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行精確的
測(cè)量，而且還可二維應(yīng)力 Mapping 成像統(tǒng)計(jì)分析；同時(shí)可精確測(cè)量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。
激光部分和檢測(cè)器固定在同一框架上，這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率
運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)大大提高測(cè)試的分辨率；適合各種
材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析。
技術(shù)參數(shù)
溫度范圍 -100~1200°C( 多種溫度范圍可選)
溫度速率 加熱 >10°C/秒
冷卻
600°C，高達(dá) 50°C/分鐘
400°C 到室溫， 高 達(dá)5°C/分鐘 （可擴(kuò)展更快的升溫和降溫速率）
溫度均勻性 ± 2 °C
溫度穩(wěn)定性 ± 1 %
平均傾斜重復(fù)性 < 1μrad
平均曲率重復(fù)性 < 2×10E -5 1/m
應(yīng)力測(cè)量范圍 幾十 KPa ~ 幾十 GPa
空間掃描分辨率 高達(dá) 1μm
（用戶可調(diào)）
曲率分辨率 室溫 100Km，高溫 20Km
實(shí)時(shí)熱應(yīng)力測(cè)量分析 30 點(diǎn)/秒
真空腔室真空度 10 mTorr
測(cè)量基片尺寸 標(biāo)配 200mm（100mm 和 300mm 可選）
薄膜熱應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)（TST）應(yīng)用
本測(cè)試系統(tǒng)現(xiàn)在用于科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應(yīng)力監(jiān)測(cè)和控制。
應(yīng)用于金屬薄膜，介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm 半導(dǎo)體集成電路板、薄膜電池、
MBE 和 MOCVD 薄膜制備和退火過(guò)程的熱應(yīng)力監(jiān)控等領(lǐng)域。
