實時原位薄膜應(yīng)力儀:同樣采用*的MOS技術(shù),可裝在各種真空沉積設(shè)備上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進行實時原位測量和二維成像分析;
技術(shù)參數(shù):
薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),薄膜應(yīng)力測試儀,薄膜應(yīng)力計,薄膜應(yīng)力儀,Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;
1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍:200mm;300mm (XY)(可選);
2.XY雙向掃描速度:zui大20mm/s;
3.XY雙向掃描平臺掃描zui小步進/分辨率:2 μm ;
4.薄膜應(yīng)力測量范圍:5×105到4×1010dynes/cm2(或者5×104Pa to 4×109Pa);
5.薄膜應(yīng)力測量分辨率:優(yōu)于0.1MPa;
6.測量精度:優(yōu)于±0.1%;
7.測量重復(fù)性:優(yōu)于0.1%;
8.平均曲率分辨率:< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ;
9.平均曲率重復(fù)性:<2×10e-5 1/m;
主要特點:
1.程序化控制掃描模式:單點掃描、選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描;
2.成像功能:樣品表面2D曲率成像,定量薄膜應(yīng)力2D成像分析;
3.測量功能:薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等;
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測量功能,溫度范圍-65C to 1000C;
5.薄膜殘余應(yīng)力測量;