真空快速退火爐AS-One是一種通用的RTP系統(tǒng)，可用于開發(fā)快速熱退火和快速熱CVD工藝。

       真空快速退火爐AS-One是一種通用的RTP系統(tǒng)，可用于開發(fā)快速熱退火和快速熱CVD工藝。
 

　　真空快速退火爐AS-One可以搭配分子泵實現(xiàn)高真空下熱處理工藝。
 

　　溫度1500 ℃，升溫速率200℃/Second。
 

　　全程PC軟件控制升溫程序，保證溫度不過沖，控溫精度準確。
 

　　應用：
 

　　•    RTA(快速熱退火)
 

　　•    RTO(快速熱氧化)
 

　　•    歐姆接觸退火
 

　　•    植入退火
 

　　•    石墨烯和hBN的快速熱化學氣相沉積RTCVD
 

　　•    硒化，硫化
 

　　•    結(jié)晶和致密化
 

　　產(chǎn)品特點：
 

　　1、 紅外鹵素燈管加熱，冷卻采用風冷(低噪音水平，無需壓縮空氣)；
 

　　2、加熱由功率控制而非電壓控制，避免了由于燈絲老化電阻改變導致的后續(xù)使用中加熱不均的問題，保證了良好的重現(xiàn)性及均溫性，即使在后續(xù)使用過程中更換了部分新的燈管也可以達到初的熱處理效果；
 

　　3、石英腔體，腔體冷卻采用水冷，冷壁設計，雙層不銹鋼；
 

　　冷壁水冷技術優(yōu)點在于：1、無記憶，2、工藝重復性高，3、冷卻速度快；
 

　　4、反應腔室的設計，氣體的進入口設計在wafer的表面，避免在退火過程中冷點的產(chǎn)生。很好的保證了樣品在加熱過程中的均溫性；
 

　　5、快速數(shù)字PID控溫；
 

　　6、熱電偶配合高溫計控溫，測試樣品的溫度，控溫精準；
 

　　7、大氣和真空工藝均適合，凈化氣體配針閥；
 

　　8、多5路工藝氣體，配數(shù)字質(zhì)量流量控制器；
 

　　9、電腦通過以太網(wǎng)連接更快的數(shù)據(jù)傳輸速度；
 

　　10、可選配石墨托盤表面涂SiC薄膜設計，用于小樣品測試；
 

　　11、可選配分子泵，用于高真空測試。
 

　　產(chǎn)品標準配置及規(guī)格參數(shù)：
 

　　1、樣品大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；
 

　　2、溫度范圍：AS-One100室溫~1250 ℃；(室溫~1500 ℃可選)
 

　　AS-One150室溫~1200 ℃；(室溫~1300 ℃可選)
 

　　3、升溫速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ；
 

　　AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；
 

　　4、溫度控制：快速數(shù)字PID控制；
 

　　5、熱電偶：2個K型熱電偶；
 

　　6、低溫高溫計溫度范圍：150℃~1100 ℃；
 

　　7、高溫高溫計溫度范圍：400℃~1500 ℃；
 

　　8、工藝氣體氣路配質(zhì)量流量計；
 

　　9、配置真空泵及真空規(guī)。