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大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器 太赫茲光電導(dǎo)天線(xiàn) 太赫茲天線(xiàn)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

效率的太赫茲輻射源對(duì)一系列太赫茲科學(xué)技術(shù)的應(yīng)用有著非常重要的影響,一個(gè)重要的方面就是寬的帶寬,以及高的電場(chǎng)強(qiáng)度。這通常依賴(lài)于大激發(fā)面積的輻射源,傳統(tǒng)的概念上輻射源需要高的偏置電壓(高至幾百V)激發(fā)才能達(dá)到KV/cm的THz電場(chǎng)強(qiáng)度。上海屹持光電推出的大激發(fā)面積太赫茲發(fā)射器是一款大激發(fā)面的且只需要很低偏置電壓的高效率光電導(dǎo)天線(xiàn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

√ 大的激發(fā)面積

√ 低的外部偏置電壓

√ 不需要外部冷卻裝置

√ 超級(jí)集成化的封裝設(shè)計(jì)

技術(shù)規(guī)格

上海屹持光電推出的Tera-SED是一款基于LT-GaAs的高效率太赫茲光電導(dǎo)天線(xiàn)。我們提供兩個(gè)不同版本的大激發(fā)面積光電導(dǎo)天線(xiàn):10mm*10mm激發(fā)面積的天線(xiàn)適合于放大級(jí)飛秒激光器系統(tǒng)(單脈沖能量可以高至300uJ);3mm*3mm版本的光電導(dǎo)天線(xiàn)適合于震蕩級(jí)飛秒激光器。

左圖為T(mén)era-SED受激發(fā)輻射THz的原理示意圖,右圖是實(shí)驗(yàn)測(cè)試頻譜數(shù)據(jù)(0.7nJ pump功率,GaP晶體探測(cè)的結(jié)果)

頻譜峰值1THz-1.5THz
頻譜寬度(@-10dB)~2.5THz
大光學(xué)激發(fā)功率密度8W/mm2
大激發(fā)功率650mW
激發(fā)波長(zhǎng)700-850nm
尺寸1英寸外徑
太赫茲脈沖強(qiáng)度可至5KV/cm
偏置電壓
10-30V
偏置電壓調(diào)制頻率DC-100KHz
占空比5%-*

輻射太赫茲的能力


偏置電壓Vbias占空比THz電場(chǎng)強(qiáng)度
Tera-SED3
up to 10V CW100V/cm (@10V)
10-20V50%200V/cm (@20V)
30V
10%300V/cm
Tera-SED10
up to 5VCW1000V/cm(@5V)
5-20V50%2000V/cm(@20V)
25V
5%5000V/cm


上海屹持光電技術(shù)有限公司

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