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半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)9000系列

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20納米世代后的裝置對精度和工藝要求非常高,如雙重圖案和3D構(gòu)造,以及針對新材料相對應(yīng)的高精密度復(fù)雜制程要求,包含后道處理和形成保護(hù)膜等。為了對應(yīng)這類下一代器件工藝,半導(dǎo)體蝕刻裝置9000系列統(tǒng)一了接口并且能夠搭載高精度模塊化的各種腔室,從而實(shí)現(xiàn)了對器件的擴(kuò)展性和柔軟性的工藝。

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半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)9000系列

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半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)9000系列

20納米世代后的裝置對精度和工藝要求非常高,如雙重圖案和3D構(gòu)造,以及針對新材料相對應(yīng)的高精密度復(fù)雜制程要求,包含后道處理和形成保護(hù)膜等。為了對應(yīng)這類下一代器件工藝,半導(dǎo)體蝕刻裝置9000系列統(tǒng)一了接口并且能夠搭載高精度模塊化的各種腔室,從而實(shí)現(xiàn)了對器件的擴(kuò)展性和柔軟性的工藝。

  • 特長

  • 規(guī)格

特長

  1. 新的9000系列的串接式平臺,其模組腔室設(shè)計(jì),可以提供制程使用的彈性以及未來的擴(kuò)充性。
  2. 有助于順利過渡到未來450mm晶圓用設(shè)備的平臺和用戶界面標(biāo)準(zhǔn)化整合。
  3. 9000系列平臺采用了日立成熟的微波ECR(Electron Cyclotron Resonance)等離子體蝕刻腔室,已經(jīng)過大批量生產(chǎn)的考驗(yàn)。

規(guī)格

應(yīng)用晶圓直徑300mm
裝置構(gòu)成9 chambers (max.)
部分規(guī)格會與照片不一樣。


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