離子蝕刻機(jī) 20IBE-C
上海伯東日本 進(jìn)口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī), 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻
 φ4 inch X 6片
| 基板尺寸 | < φ3 inch X 8片
< φ4 inch X 6片
< φ8 inch X 1片 |  可選
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樣品臺(tái) | 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉(zhuǎn) |
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 |
均勻性 | ±10% for 8”Ф |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min |
溫度 | <100 |
NS 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 組成
伯東離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn):
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
離子刻蝕機(jī) 3-4inch 20IBE 視頻
NS 離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
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Hakuto NS 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī), 提供微米級(jí)刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)黃金 AU, 鉑 PT, 合金等金屬及半導(dǎo)體材料也能提供蝕刻. 適用于 MR 薄膜磁頭, 自旋電子學(xué), 應(yīng)力傳感器, 射頻濾波器, 超導(dǎo)體, 復(fù)合半導(dǎo)體材料的刻蝕. NS 蝕刻機(jī)可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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