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光電輪廓儀 WGL

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本儀器采用非接觸、光學(xué)相移干涉測(cè)量方法,測(cè)量時(shí)不損傷工件表面,能快速測(cè)得各種工件表面微觀形貌的立體圖形,并分析計(jì)算出測(cè)量結(jié)果。適用于測(cè)量各種量塊、光學(xué)零件表面的粗糙度;標(biāo)尺、度盤的刻線深度;光柵的槽形結(jié)構(gòu)鍍層厚度和鍍層邊界處的結(jié)構(gòu)形貌;磁(光)盤、磁頭表面結(jié)構(gòu)測(cè)量;硅片表面粗糙度及其上圖形結(jié)構(gòu)測(cè)量等等。由于儀器測(cè)量精度高,具有非接觸和三維測(cè)量的特點(diǎn),并采用計(jì)算機(jī)控制和快速分析、計(jì)算測(cè)量結(jié)果,本儀器適用于各級(jí)測(cè)試、計(jì)量研究單位工礦企業(yè)計(jì)量室,精密加工車間,也適用于高等院校和科學(xué)研究單位等。

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一、產(chǎn)品特點(diǎn)

本儀器采用非接觸、光學(xué)相移干涉測(cè)量方法,測(cè)量時(shí)不損傷工件表面,能快速測(cè)得各種工件表面微觀形貌的立體圖形,并分析計(jì)算出測(cè)量結(jié)果。適用于測(cè)量各種量塊、光學(xué)零件表面的粗糙度;標(biāo)尺、度盤的刻線深度;光柵的槽形結(jié)構(gòu)鍍層厚度和鍍層邊界處的結(jié)構(gòu)形貌;磁(光)盤、磁頭表面結(jié)構(gòu)測(cè)量;硅片表面粗糙度及其上圖形結(jié)構(gòu)測(cè)量等等。

由于儀器測(cè)量精度高,具有非接觸和三維測(cè)量的特點(diǎn),并采用計(jì)算機(jī)控制和快速分析、計(jì)算測(cè)量結(jié)果,本儀器適用于各級(jí)測(cè)試、計(jì)量研究單位工礦企業(yè)計(jì)量室,精密加工車間,也適用于高等院校和科學(xué)研究單位等。

二、技術(shù)參數(shù)


表面微觀不平深度測(cè)量范圍

在連續(xù)表面上,相鄰二象素之間沒有大于1 / 4 波長(zhǎng)的高度突變時(shí):1000 一1nm

相鄰二象素之間含有大于1 / 4 波長(zhǎng)的高度突變時(shí):130 一1nm

測(cè)量的重復(fù)性:δRa ≤0.5nm

物鏡倍率:40X

數(shù)值孔徑:Φ 65

工作距離:0.5mm

儀器視場(chǎng) 目視: Φ0.25mm

攝象: 0.13×0.13mm

儀器放大倍數(shù) 目視: 500×

攝象(計(jì)算機(jī)屏幕觀察)一2500×

接收器測(cè)量列陣:1000X1000

象素尺寸:5.2×5.2µm

測(cè)量時(shí)間采樣(掃描)時(shí)間:1S

儀器標(biāo)準(zhǔn)鏡 反射率(高): ~50 %

反射率(低): ~4 %

照明光源:白熾燈6V 5W

綠色干涉濾光片波長(zhǎng):λ≒530nm

半寬度λ≒10nm

主顯微鏡升程:110 mm

工作臺(tái)升程:5 mm

X 、丫方向移動(dòng)范圍: ~10 mm

工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)范圍:360°

工作臺(tái)頃斜范圍:±6°

計(jì)算機(jī)系統(tǒng):P4 , 2 .8G 以上,內(nèi)存1G以上17寸純平顯示器




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