牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產的理想選擇。 該設備通過優(yōu)化了的電極冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現高度穩(wěn)定的工藝結果。

• 直開式設計允許快速裝卸晶圓

• 出色的刻蝕深度和刻蝕速率控制

• 出色的晶圓溫度均勻性

• 晶圓可達200mm

• 購置成本低

• 符合半導體行業(yè) S2 / S8標準

牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP應用

• III-V族材料刻蝕工藝
• 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
• 二氧化硅和石英刻蝕
• 用于失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
• 用于高亮度LED生產的硬掩模的沉積和刻蝕

牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 80 ICP特點

• 小型系統(tǒng) —— 易于安置
• 優(yōu)化的電極冷卻系統(tǒng) —— 襯底溫度控制
• 高導通的徑向（軸對稱）抽氣結構 —— 確保能提升工藝均勻性和速率
• 增加<500毫秒的數據記錄功能 —— 可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
• 近距離耦合渦輪泵 —— 抽速高迅速達到所要求的低真空度
• 關鍵部件容易觸及 ——系統(tǒng)維護變得直接簡單
• X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數據信息處理能力， 并且可以實現更快更可重復的匹配
• 通過前端軟件進行設備故障診斷 —— 故障診斷速度快
• 用干涉法進行激光終點監(jiān)測 —— 在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
• 用發(fā)射光譜（OES）實現較大樣品或批量工藝的終點監(jiān)測 —— 監(jiān)測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點監(jiān)測

ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨立控制, 因此可根據工藝要求控制離子能量。

電感耦合等離子體刻蝕要點

• 高刻蝕速率
• 出色的均勻性
• 低氣壓下高密度的反應粒子
• 精準的襯底直流偏壓控制
• 精準的離子能量控制
• 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC

電感耦合等離子體刻蝕特點及優(yōu)勢