牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris專為刻蝕堅硬材料（如GaN，藍寶石和SiC）所需要使用的腐蝕性化學氣體而設計，可在直徑200mm的晶圓上實現(xiàn)快速均勻刻蝕。
高效的刻蝕速率
低購置成本
專為腐蝕性的化學成分而設計
出色的刻蝕均勻性
適用于藍寶石的靜電壓盤技術
藍寶石和硅上的GaN
高導通抽氣系統(tǒng)
可與其它PlasmaPro系統(tǒng)集成
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris特征
PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為的刻蝕效果提供了智能解決方案，使您在行業(yè)中能保持競爭優(yōu)勢。
主動冷卻電極 - 在刻蝕過程中保持樣品溫度
高功率ICP源 - 產生高密度等離子體
可靠的硬件且易于維護 - 可保持長時間正常運轉
磁場墊環(huán) - 增強離子的控制和均勻性
靜電壓盤技術 - 適用于藍寶石，以及藍寶石和硅基的GaN
加熱的腔室內襯 - 優(yōu)化以減少腔壁沉積
先進的自動匹配單元（AMU） - 提供快速，高效和準確的匹配，確保工藝的高度精準重復性
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris應用
- RF器件SiC通孔刻蝕
- 功率半導體器件SiC形貌刻蝕
- HBLED GaN刻蝕
- RF device GaN etch
- Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
- SiO2 and quartz etch
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術，可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產生高密度的反應粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點
- 高刻蝕速率
- 出色的均勻性
- 低氣壓下高密度的反應粒子
- 精準的襯底直流偏壓控制
- 精準的離子能量控制
- 更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點及優(yōu)勢
- 高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來實現(xiàn)
- 能夠利用低離子能量實現(xiàn)對選擇比和損傷的控制
- 獨立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨立控制, 從而實現(xiàn)了高度的工藝靈活性
- 在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度，這樣可以改善對外形的控制
- 化學和離子誘導刻蝕
- 也可以在RIE模式下運行，以滿足某些慢速刻蝕的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉積
- 高導通的泵送端口可提供高氣體流量，以實現(xiàn)快速的刻蝕速率
- 靜電屏蔽消除了電容耦合，減少了對器件的電學損傷，以及在腔室內減少了雜質顆粒的形成
- 標準化的晶圓壓盤與氦冷卻，提供了出色的溫度控制，同時可以選擇更寬的溫度范圍
