KLA是半導(dǎo)體在線檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)較大的供應(yīng)商，在半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、 MEMS 、太陽(yáng)能、光電子以及其他領(lǐng)域中有著不俗的*。 P-7是KLA公司的第八代探針式臺(tái)階儀系統(tǒng)，歷經(jīng)技術(shù)積累和不斷迭代更新，集合眾多技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 P-7建立在市場(chǎng)的P-17臺(tái)式探針輪廓分析系統(tǒng)的成功基礎(chǔ)之上。 它保持了P-17技術(shù)的測(cè)量性能，并作為臺(tái)式探針輪廓儀平臺(tái)提供了好的性價(jià)比。

KLA是半導(dǎo)體在線檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)較大的供應(yīng)商，在半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、 MEMS 、太陽(yáng)能、光電子以及其他領(lǐng)域中有著不俗的*。 P-7是KLA公司的第八代探針式臺(tái)階儀系統(tǒng)，歷經(jīng)技術(shù)積累和不斷迭代更新，集合眾多技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 P-7建立在市場(chǎng)的P-17臺(tái)式探針輪廓分析系統(tǒng)的成功基礎(chǔ)之上。 它保持了P-17技術(shù)的測(cè)量性能，并作為臺(tái)式探針輪廓儀平臺(tái)提供了好的性價(jià)比。 P-7可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測(cè)量，其掃描可達(dá)150mm而無(wú)需圖像拼接。從可靠性表現(xiàn)來(lái)看， P-7具有較好的測(cè)量重復(fù)性。UltraLite®傳感器具有動(dòng)態(tài)力控制，良好的線性，和*的垂直分辨率等特性。友好的用戶界面和自動(dòng)化測(cè)量可以適配大學(xué)、研發(fā)、生產(chǎn)等不同應(yīng)用場(chǎng)景。

   二、 功能

 設(shè)備特點(diǎn)

臺(tái)階高度：幾納米至1000um

微力恒力控制：0.03mg至50mg

樣品全直徑掃描，無(wú)需圖像拼接

視頻：500萬(wàn)像素高分辨率彩色攝像機(jī)

圓弧矯正：消除由于探針的弧形運(yùn)動(dòng)引起的誤差

生產(chǎn)能力：通過(guò)測(cè)序，模式識(shí)別和SECS/GEM實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化

   主要應(yīng)用

薄膜/厚膜臺(tái)階

刻蝕深度測(cè)量

光阻/光刻膠臺(tái)階

柔性薄膜

表面粗糙度/波紋度表征

表面曲率和輪廓分析

薄膜的2D Stress量測(cè)

表面結(jié)構(gòu)分析

表面3D輪廓成像

缺陷表征和分析

其他多種表面分析功能

 三、應(yīng)用案例

·    臺(tái)階高度

P-7可以提供納米級(jí)到1000μm的2D和3D臺(tái)階高度的測(cè)量。 這使其能夠量化在蝕刻，濺射，SIMS，沉積，旋涂，CMP和其他工藝期間沉積或去除的材料。P-7具有恒力控制功能，無(wú)論臺(tái)階高度如何都可以動(dòng)態(tài)調(diào)整并施加相同的微力。這保證了良好的測(cè)量穩(wěn)定性并且能夠測(cè)量諸如光刻膠的軟性材料。

紋理：粗糙度和波紋度

P-7提供2D和3D紋理測(cè)量并量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件濾鏡功能將測(cè)量值分為粗糙度和波紋度部分，并計(jì)算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數(shù)。

外形：翹曲和形狀

P-7可以測(cè)量表面的2D形狀或翹曲。這包括對(duì)晶圓翹曲的測(cè)量，例如半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導(dǎo)致這種翹曲的原因。P-7還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

應(yīng)力：2D和3D薄膜應(yīng)力

P-7能夠測(cè)量在生產(chǎn)包含多個(gè)工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件期間所產(chǎn)生的應(yīng)力。 使用應(yīng)力卡盤(pán)將樣品支撐在中性位置并精確測(cè)量樣品翹曲。然后通過(guò)應(yīng)用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來(lái)計(jì)算應(yīng)力。2D應(yīng)力通過(guò)在直徑達(dá)200mm的樣品上通過(guò)單次掃描測(cè)量，無(wú)需圖像拼接。3D應(yīng)力的測(cè)量采用多個(gè)2D掃描，并結(jié)合θ平臺(tái)在掃描之間的旋轉(zhuǎn)對(duì)整個(gè)樣品表面進(jìn)行測(cè)量。

缺陷復(fù)檢

缺陷復(fù)查用于測(cè)量如劃痕深度之類的缺陷形貌。缺陷檢測(cè)設(shè)備找出缺陷并將其位置坐標(biāo)寫(xiě)入KLARF文件。“缺陷復(fù)檢”功能讀取KLARF文件、對(duì)準(zhǔn)樣本，并允許用戶選擇缺陷進(jìn)行2D或3D測(cè)量。