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微區(qū)磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)

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克爾效應測量系統(tǒng)高性價比磁光克爾效應測量系統(tǒng)!當一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度(克爾旋轉(zhuǎn)角),這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應

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克爾效應測量系統(tǒng)

高性價比磁光克爾效應測量系統(tǒng)!


當一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度(克爾旋轉(zhuǎn)角),這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應。后來這一效應被用來材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統(tǒng)就是一套準確測量克爾旋轉(zhuǎn)角的設備。磁光克爾效應測量系統(tǒng)是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉(zhuǎn)角準確測量的設備,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術(shù)、磁性薄膜等領(lǐng)域。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)以激光作為光源,由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區(qū)域,因此磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有良好的局域性,可以實現(xiàn)在微米區(qū)域內(nèi)材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針”,因此對樣品不會造成任何損傷,實現(xiàn)對樣品的無損測量,這對于需要做多次測量的樣品是有利的。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有的靈敏度,對克爾旋轉(zhuǎn)角的探測精度可達到±0.001度。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產(chǎn)生外加磁場,可以提供高達25KOe的外加磁場。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)、磁性測量系統(tǒng)、MOKE system、微米區(qū)域克爾磁光效應測量系統(tǒng)、測量裝置

上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統(tǒng)主要可分為以下三類:
①  極向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產(chǎn)品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款,主要是對12英寸的垂直磁記錄介質(zhì)磁特性的測量??梢詼蚀_的探測分析每個探測點的磁滯回線,該產(chǎn)品應用408nm的固體激光器,光斑直徑為1mm,外加磁場可高達25KOe。




磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)





磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
②  向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產(chǎn)品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統(tǒng)??梢詫?2寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量,并且探測結(jié)果以成像的形式顯示。





③   微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)(m-kerr system)(極向+縱向,MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產(chǎn)品為BH-920系列。與前兩款產(chǎn)品相比, BH-920系列擁有更小的激光光斑,可以對微米區(qū)域內(nèi)的磁特性進行研究。BH-P920-NH是可進行極向的微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng),該設備具有的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量。





u  主要特點
l  高性能
l  成本低
l  高靈敏度(0.001°)
l  高穩(wěn)定性
l  高外加磁場(25KOe)


u  主要應用
磁性納米技術(shù)、磁性薄膜,磁性材料等磁學領(lǐng)域


u  測量項目  

磁滯回線    
X軸:外加磁場強度 H
Y軸:克爾旋轉(zhuǎn)角  qk

通過磁滯回線可獲得的參數(shù)    
矯頑力 Hc
各向異性場 Hk
內(nèi)稟矯頑力 Hn
飽和磁場強度 Hs
剩余磁化強度 qr
飽和磁化強度 qs


u  產(chǎn)品主要參數(shù):


產(chǎn)品型號

參數(shù)

BH-PI920系列

BH-P920-NH

BH-PI920

BH-810CPC25WF12

BH-618SK-CA12

產(chǎn)品特點

微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量

極向微區(qū)域克爾測量裝置,具有高靈敏度

微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量,具有較高的靈敏度

極向磁光克爾效應測量,對PMR薄膜晶圓的磁特性測量

縱向磁光克爾測量系統(tǒng),可進行多點磁滯回線的測量

激光光源

半導體激光器(405nm)  



半導體激光器 408nm

半導體激光器(405nm

光斑直徑

縱向測量

約 5mm [1/e2]

1-2mm

2-3mm

1mm

12mm

極向測量

約 2mm [1/e2]

探測靈敏度

± 0.005°

±0.001°

±0.001°

± 0.005°

± 0.005°

探測范圍

± 1°





外加磁場強度

極向磁體

    >±10kOe

>±10kOe

極向磁場

>±1.5T

>±25kOe

>±0.2T

面內(nèi)磁場

>±10kOe

面內(nèi)磁場

>±1T

可測樣品大小

551tmm~10101tmm


55~1010mm

t0.5~1mm  

12inch wafer

12inch wafer









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