20納米世代后的裝置對精度和工藝要求非常高，如雙重圖案和3D構(gòu)造，以及針對新材料相對應(yīng)的高精密度復(fù)雜制程要求，包含后道處理和形成保護膜等。為了對應(yīng)這類下一代器件工藝，半導(dǎo)體蝕刻裝置9000系列統(tǒng)一了接口并且能夠搭載高精度模塊化的各種腔室，從而實現(xiàn)了對應(yīng)器件的擴展性和柔軟性的工藝。