特點
特點
超高分辨成像
日立的高亮度電子源可保證了即使在超低著陸電壓下，也可獲得超高分辨的圖像。
0.8 kV電壓條件下觀察RHO型沸石的實例。左圖為顆粒整體的形貌,右圖為放大圖像，顆粒表面細微的臺階結(jié)構(gòu)清晰可見。低電壓觀察對于減少電子束損傷和獲取表面形狀信息較為有效。
樣品提供：日本工業(yè)技術(shù)綜合研究所 上村 佳大 先生
高襯度的低加速電壓背散射圖像
3D NAND截面觀察;
在低加速電壓條件下，背散射電子信號能夠明顯的顯示出氧化硅層和氮化硅層的襯度差別。
3D NAND截面觀察（加速電壓：1.5kV）
快速BSE圖像：新型閃爍體背散射電子探測器(OCD)*
由于使用了新型的OCD探測器，即使掃描時間不到1秒，也仍然可以觀察到Fin-FET清晰的深層結(jié)構(gòu)圖像.
5納米制程SRAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察 （加速電壓：30kV，掃描時間<1秒）
*的自動化功能*
EM Flow Creator 允許客戶創(chuàng)建連續(xù)圖像采集的自動化工作流程。EM Flow Creator將不同的SEM功能定義為圖形化的模塊，如設(shè)置放大倍率、移動樣品位置、調(diào)節(jié)焦距和明暗對比度等。用戶可以通過簡單的鼠標(biāo)拖拽，將這些模塊按邏輯順序組成一個工作程序。經(jīng)過調(diào)試和確認(rèn)后，該程序便可以在每次調(diào)用時自動獲得高質(zhì)量、重現(xiàn)性好的圖像數(shù)據(jù)。
靈活的用戶界面
原生支持雙顯示器，提供靈活、高效的操作空間。6通道同時顯示與保存，實現(xiàn)快速的多信號觀測與采集。
1,2,4 或6通道信號可在同一個顯示器上同時顯示，可切換內(nèi)容包括SEM各探測器以及樣品室相機和導(dǎo)航相機?？梢酝ㄟ^使用兩個顯示器來擴展工作空間，可定制的用戶界面以提高工作效率。
