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寬波段近紅外光譜儀(1000nm~1900nm)

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寬波段近紅外模塊(1000nm~1900nm)它被連接到光電二極管探測(cè)器陣列上

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寬波段近紅外模塊(1000nm~1900nm)


它被連接到光電二極管探測(cè)器陣列上。光通過300/330μm的二氧化硅和入口狹縫耦合進(jìn)入光譜儀。光由光譜儀腔內(nèi)的全反射引導(dǎo)。光譜儀本身是一個(gè)微模壓的整體器件,包括入口狹縫、聚焦凸面平場(chǎng)和相機(jī)反射鏡。這些元素被安排在羅蘭的設(shè)計(jì)中。

利用LIGA技術(shù)復(fù)制光學(xué)表面質(zhì)量的微結(jié)構(gòu)。整體羅蘭設(shè)計(jì)保證了*的機(jī)械,熱和光學(xué)穩(wěn)定性。由于光學(xué)元件的幾何位置固定,波長(zhǎng)定標(biāo)幾乎沒有熱漂移。波長(zhǎng)到像素的校準(zhǔn)功能在產(chǎn)品的使用壽命內(nèi)是穩(wěn)定的,不需要任何重新校準(zhǔn)。低重量和整體設(shè)計(jì)使它不敏感的機(jī)械和振動(dòng)應(yīng)力。制造工藝和所選材料的使用確保了良好的抗熱應(yīng)力和苛刻的環(huán)境條件。

aMSM NIR 256微光譜儀采用Hamamatsu G13913-1349 InGaAs光電二極管陣列??梢蕴峁﹥蓚€(gè)不同的光譜范圍選擇,1.7版本覆蓋900nm~1700nm,1.9版本覆蓋1000nm~1900nm。在此基礎(chǔ)上增加了檢測(cè)范圍寬度,可以檢測(cè)的物質(zhì)也隨之增加。


INSION設(shè)計(jì)的新一代NIR系統(tǒng)。由于改進(jìn)的單片設(shè)計(jì),出色的光學(xué)特性以及小尺寸,在各種新的和常見的應(yīng)用中開辟了可能性。它們非常適合用于分析和診斷手持設(shè)備,由于具有良好的儀器間協(xié)議,因此具有很高的成本效益。典型的應(yīng)用范圍從儀器分析,生物和臨床系統(tǒng)的物質(zhì)鑒定和農(nóng)業(yè)和營(yíng)養(yǎng)產(chǎn)品的分析。






主要參數(shù):



aMSM NIR 1.7 NT 256 aMSM NIR 1.9NT 256 
光譜范圍
900nm ~ 1700nm1000nm ~ 1900nm
光譜分辨率(FWHM)
10nm(4.1nm像素間隔)10nm(4.1nm像素間隔)
光譜準(zhǔn)確度
2nm2nm
光譜重復(fù)性
≤0.1nm≤0.1nm
靈敏度
>150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm>150E12 cts*nm/Ws @ 1500nm
溫度漂移
<0.05nm/K
<0.05nm/K
探測(cè)器
InGaAs陣列探測(cè)器, 256像元InGaAs陣列探測(cè)器, 256像元








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