日本理學(xué)全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF-V310通過(guò) VPD-TXRF 進(jìn)行晶圓表面污染測(cè)量超痕量元素表面污染的測(cè)量

全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF-V310分析可以測(cè)量所有晶圓廠工藝中的污染，包括清潔、光刻、蝕刻、灰化、薄膜等。全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF-V310 可以使用單目標(biāo) 3 光束 X 射線系統(tǒng)和無(wú)液氮探測(cè)器系統(tǒng)測(cè)量從鈉到烏的元素。

全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF-V310包括理學(xué)的XYθ樣品臺(tái)系統(tǒng)，真空晶圓機(jī)器人轉(zhuǎn)移系統(tǒng)和新的用戶友好型Windows軟件。所有這些都有助于提高吞吐量、更高的準(zhǔn)確度和精度，以及簡(jiǎn)化的日常操作。

集成的 VPD 功能可實(shí)現(xiàn)一個(gè)晶圓的自動(dòng) VPD 制備，同時(shí)在另一個(gè)晶圓上進(jìn)行 TXRF 測(cè)量，以獲得的靈敏度和高吞吐量。全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF-V310消除了 ICP-MS 可能出現(xiàn)的操作員可變性，并且 VPD-TXRF 可以通過(guò)工廠自動(dòng)化控制?？蓮倪x定區(qū)域（包括斜面區(qū)域）進(jìn)行 VPD 恢復(fù)。

可選的掃描TXRF軟件可以繪制晶圓表面上的污染物分布圖，以識(shí)別可以更高精度自動(dòng)重新測(cè)量的“熱點(diǎn)”。

可選的 ZEE-TXRF 功能克服了原始 TXRF 設(shè)計(jì)歷 15 mm 邊緣排除的問(wèn)題，使測(cè)量能夠以零邊緣排除進(jìn)行。

可選的 BAC-TXRF 功能可實(shí)現(xiàn) 300 mm 晶圓的全自動(dòng)正面和背面 TXRF 測(cè)量，并進(jìn)行非接觸式晶圓翻轉(zhuǎn)。

• 接受 300 mm、200 mm 和 150 mm 晶圓

• 多種分析元素（Na~U）

• 輕元素靈敏度（針對(duì)鈉、鎂和鋁）

• 單靶3光束法和XYθ載物臺(tái)是理學(xué)的，可在整個(gè)晶圓表面進(jìn)行高精度的超痕量分析

• 集成的全自動(dòng) VPD 制備，可實(shí)現(xiàn)靈敏度

• 1E7 原子/cm2 檢測(cè)限

• 從缺陷檢測(cè)工具導(dǎo)入測(cè)量坐標(biāo)以進(jìn)行后續(xù)分析

• 多任務(wù)處理：同時(shí)進(jìn)行 VPD 和 TXRF 操作，實(shí)現(xiàn)吞吐量