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Sinton離線晶片少子壽命測試儀 WCT-120

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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WCT儀器展示Sinton的測量和分析技術(shù),包括半標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)系數(shù)(QSSPC)測量方法,該方法由Sinton公司在1994年研發(fā)。載流子合復(fù)壽命經(jīng)過準(zhǔn)確校準(zhǔn)的測量方式,廣泛應(yīng)用于太陽能單晶和多晶硅片。

詳細(xì)信息 在線詢價

的瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)

QSSPC技術(shù)對于監(jiān)測多晶硅硅片,摻雜劑的擴(kuò)散,和低壽命樣本是理想的技術(shù)。這種方法補(bǔ)充了瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)的運用。瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)在這臺設(shè)備上也是標(biāo)準(zhǔn)的。

QSSPC壽命測量

QSSPC壽命測量也產(chǎn)生隱含的開路電壓(與lllumination)曲線,這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個階段進(jìn)行比較。

優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)

Sinton設(shè)備的分析能為每個晶片產(chǎn)生校準(zhǔn)載流子注入水平,所以你可以以一個物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測量都會顯示和記錄特定的參數(shù)。

WCT系統(tǒng)功能

單擊即可鎖定晶硅片的關(guān)鍵參數(shù),包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓

?制造過程的逐步監(jiān)測和優(yōu)化

?監(jiān)測初始材料質(zhì)量

?晶片加工過程中檢測重金屬雜質(zhì)

?評估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散

?使用隱含V測量評估過程引起的分流

項目 內(nèi)容
測量參數(shù) 少子壽命、電阻率、發(fā)射極飽和電流密度、陷阱濃度、標(biāo)準(zhǔn)太陽下Voc
壽命測量范圍 100nm-10ms
測量(分析)模式 QSSPC,瞬態(tài)和歸一化壽命分析
電阻率測量范圍 3-600(未摻雜)Ohms/sq
可得到的偏壓范圍 0-50suns
可得到的光譜 白光和紅外光
感應(yīng)范圍 直徑40mm
樣品尺寸,標(biāo)準(zhǔn)配置 標(biāo)準(zhǔn)直徑:40-230mm
硅片厚度范圍 10-2000um


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