電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）技術由于其存在檢出限低、測量的動態(tài)范圍寬、準確度好、基體效應小、精密度高等一系列優(yōu)點，是近年來發(fā)展迅速、應用極為廣泛的一種光譜測試技術，Plasma2000具有波長范圍寬、分辨率高、測試速度快、穩(wěn)定性好等特點，可用于地質、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、農業(yè)、食品、商檢、水質等各領域及學科的樣品分析。

電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）技術由于其存在檢出限低、測量的動態(tài)范圍寬、準確度好、基體效應小、精密度高等一系列優(yōu)點，是近年來發(fā)展迅速、應用極為廣泛的一種光譜測試技術，Plasma2000具有波長范圍寬、分辨率高、測試速度快、穩(wěn)定性好等特點，可用于地質、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、農業(yè)、食品、商檢、水質等各領域及學科的樣品分析。

儀器特點：

中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，徑向觀測，具有穩(wěn)健的檢測能力。
高效穩(wěn)定的自激式固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小巧，匹配速度快，確保儀器的高精度運行及優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。
高速面陣CCD采集技術，單次曝光獲取全部譜線信息，真正實現“全譜直讀”。
功能強大的軟件系統(tǒng)，簡化分析方法的開發(fā)過程，為用戶量身打造簡潔、舒適的操作體驗。

儀器參數：

技術參數：
射頻發(fā)生器技術參數：   
輸出功率：700W-1600W連續(xù)1W可調
功率穩(wěn)定性：≤0.1%
震蕩頻率：27.12MHz
頻率穩(wěn)定性：≤0.01%
匹配方式：自動匹配
電磁場泄露輻射強度：<0.5V/m

進樣系統(tǒng)技術參數：
炬管方向：垂直放置
炬管線圈：3匝
炬管：一體式炬管，中心管可選0.8mm、1.5mm、2.0mm（石英或陶瓷）。
霧化器：同心霧化器或平行通道霧化器，外徑6mm,可選標準霧化器、高鹽霧化器、氫氟酸霧化器.
霧室：旋流霧化室，可選配雙筒型霧化室和耐HF霧化室。
蠕動泵：4通道12滾輪，轉速連續(xù)可調。
氬氣消耗量：12L/min~18L/min
冷卻氣：0.00L/min~20.00L/min，精度0.01L/min，高精度質量流量控制器
輔助氣：0.00L/min~2.00L/min，精度0.01L/min，高精度質量流量控制器
載氣：0.00L/min~2.00L/min，精度0.01L/min，高精度質量流量控制器

光學系統(tǒng)參數：
光柵：中階梯光柵，52.67g/mm，閃耀角63.5°
棱鏡：超純SiO2材料
分析譜線范圍：165nm-900nm
焦距：400mm
分辨率： ≤0.008nm@200nm
雜散光：10000μg/ml的Ca溶液在As189.042nm處的等效背景濃度<2ug/ml
光室恒溫：高精度恒溫38℃±0.1℃
光室充氣：多點充氣技術，小流量吹掃1L/min，大流量吹掃4L/min

檢測器技術參數：
檢測器：背照式CCD檢測器，抗飽和溢出
像面尺寸：25.4mm x 25.4mm
CCD像素：1024x 1024
單像素面積：24μm x 24μm
波長響應范圍：120nm~1100nm
量子化效率：無鍍膜，量子化效率可達75%以上
檢測器冷卻：高效半導體制冷，制冷溫度<-35℃

分析性能：
觀測方式：垂直火炬   
檢出限：亞ppb-ppb
短期穩(wěn)定性：RSD≤0.5%（500LOD）
長期穩(wěn)定性：RSD≤1.0%（2h，500LOD