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MDPpro 晶圓片/晶錠壽命檢測(cè)儀

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根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無(wú)損成像(PCD/MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查

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根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無(wú)損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割,爐內(nèi)監(jiān)控,材料優(yōu)化等。

日常壽命測(cè)量,質(zhì)量控制和檢驗(yàn)
產(chǎn)量:>240塊/天或>720片/天
測(cè)量速度:對(duì)于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠,<4分鐘
良品率提升:1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠
質(zhì)量控制:用于過(guò)程和材料的質(zhì)量監(jiān)控,如單晶硅或多晶硅
沾污檢測(cè):起源于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備的金屬(Fe)
可靠性:模塊化和堅(jiān)固耐用的工業(yè)儀器,更高可靠性,運(yùn)行時(shí)間> 99%
可重復(fù)性:> 99.5%
電阻率:可做面掃描,不需經(jīng)常校準(zhǔn)


精密材料研發(fā)

鐵濃度測(cè)定
陷阱濃度測(cè)定
硼氧測(cè)定
依賴于注入的測(cè)量等



特性
無(wú)接觸和無(wú)破壞的半導(dǎo)體檢測(cè)
特殊“underneath the surface”壽命測(cè)量技術(shù)
對(duì)不可見(jiàn)缺陷的可視化測(cè)試具有很高靈敏度
自動(dòng)設(shè)置硅錠切割標(biāo)準(zhǔn)
空間分辨p/n電導(dǎo)型變換檢測(cè)



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