產(chǎn)品詳情簡(jiǎn)介
儀器簡(jiǎn)介： VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的，進(jìn)行超高測(cè)量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測(cè)試系統(tǒng)。
它是提供給電化學(xué)及材料測(cè)試以空間分辨率的一個(gè)測(cè)試平臺(tái)。每個(gè)VersaSCAN都具有高分辨率，長(zhǎng)工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺(tái)上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上，輔助選件包括，如電位計(jì)，壓電振動(dòng)單元，或者激光傳感器，為不同掃描探針試驗(yàn)，定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起，由以太網(wǎng)來(lái)控制，保證小信號(hào)的精確測(cè)量。
它 是一個(gè)模塊化配置的系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測(cè)試：
·Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡
·Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動(dòng)電極測(cè)試
·Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開(kāi)爾文探針測(cè)試
·Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)電化學(xué)阻抗測(cè)試
·Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測(cè)試
·Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測(cè)試
以上每項(xiàng)技術(shù)使用不同的測(cè)量探針，且安裝位置與樣品非常接近，但是不接觸到樣品。隨著探針測(cè)試的進(jìn)行，改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對(duì)探針位置作圖，針對(duì)不同技術(shù)，該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流，阻抗，相對(duì)功函或者是表面形貌圖。
應(yīng)用領(lǐng)域： 詳細(xì)資料 ： 材料腐蝕的電化學(xué)測(cè)試方法局限于整個(gè)樣品的宏觀測(cè)試, 測(cè)試結(jié)果只反映樣品的不同局部位置的整體統(tǒng)計(jì)結(jié)果,不能反映出局部的腐蝕及材料與環(huán)境的作用機(jī)理.為進(jìn)行局部表面科學(xué)研究,微區(qū)掃描系統(tǒng)提供了一個(gè)新的途徑,并日益得到包括局部腐蝕領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，人們一直在探索局部電化學(xué)過(guò)程的研究。代掃描參比電極技術(shù)（SRET）能探測(cè)局部腐蝕的發(fā)生。第二代掃描振動(dòng)電極技術(shù)（SVET）采用振動(dòng)電極測(cè)量局部 （電流，電位〕隨遠(yuǎn)離被測(cè)電極表面位置的變化。 SVET具有比SRET更高的靈敏度。在SVET和SVET基礎(chǔ)上，又提出了采用掃描Kelvin振動(dòng)電極（SKP）測(cè)量不同材料表面功函數(shù)。
SVET工作原理 掃描振動(dòng)參比電極系統(tǒng)是利用振動(dòng)電極和鎖相放大器消除微區(qū)掃描中的噪聲干擾,提高測(cè)量精度. SVET系統(tǒng)具有高靈敏度,非破壞性,可進(jìn)行電化學(xué)活性測(cè)量的特點(diǎn).它可進(jìn)行線(xiàn)性或面掃描,研究局部腐蝕（如電蝕和應(yīng)力腐蝕的產(chǎn)生,發(fā)展等）,表面涂層及緩蝕劑的評(píng)價(jià)等方面的研究,掃描振動(dòng)探針（SVET）是在液態(tài)腐蝕環(huán)境下,進(jìn)行腐蝕研究的有力工具,它能檢測(cè)小于5uA/cm2的原位腐蝕。
SKP工作原理 SKP掃描開(kāi)爾文探針系統(tǒng)為表面科學(xué)測(cè)量提供了一個(gè)新的途徑，開(kāi)爾文探針是一種無(wú)接觸，無(wú)破壞性的儀器，可以用于測(cè)量導(dǎo)電的、半導(dǎo)電的，或涂覆的材料與試樣探針之間的功函差。 這種技術(shù)是用一個(gè)振動(dòng)電容探針來(lái)工作的，通過(guò)調(diào)節(jié)一個(gè)外加的前級(jí)電壓可以測(cè)量出樣品表面和掃描探針的參比針尖之間的功函差。 功函和表面狀況有直接關(guān)系的理論的完善使SKP成為一種很有價(jià)值的儀器，它能在潮濕甚至氣態(tài)環(huán)境中進(jìn)行測(cè)量的能力使原先不可能的研究變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。
SKP掃描開(kāi)爾文探針系統(tǒng)的應(yīng)用： 不銹鋼和鋁等材料的點(diǎn)蝕檢測(cè)、成長(zhǎng)過(guò)程在線(xiàn)監(jiān)測(cè)等；
有機(jī)和金屬涂層缺陷和完整性研究；
金屬/有機(jī)涂層界面的腐蝕的機(jī)制與檢測(cè)；
有機(jī)涂層的剝離和脫落機(jī)制；
鈍化處理的不銹鋼焊接熱影響區(qū)的電位分布；
干濕循環(huán)的碳鋼和不銹鋼的陰極區(qū)和陽(yáng)極區(qū)的分布行為；
薄液層下氧還原反應(yīng)和金屬的腐蝕過(guò)程的特征；
模擬不同大氣環(huán)境的腐蝕電位在線(xiàn)監(jiān)測(cè)；
鋁合金等材料在大氣環(huán)境中局部腐蝕敏感性；
鋁合金的絲狀腐蝕（filiform corrosion）；
硅烷L(zhǎng)-B膜修飾金屬表面的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定性；
鋅-鐵偶合金屬界面區(qū)的電位分布特征；
磷化處理鋅表面的碳微粒污染檢測(cè)；
檢測(cè)微小金屬表面的應(yīng)力分布和應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂；
檢測(cè)金屬和半導(dǎo)體材料微小區(qū)域的表面清潔度，缺陷，損傷和均勻程度；
研究和評(píng)價(jià)氣相緩蝕劑性能；
電化學(xué)傳感器；
技術(shù)參數(shù)： VersaScan采用了納米分辨率、快速精確的閉環(huán)X、Y、Z移位系統(tǒng)，
以及靈活便捷的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
微區(qū)掃描探針平臺(tái)系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)： 1. 掃描范圍（X、Y、Z）：100mm×100mm×100mm
2. 掃描驅(qū)動(dòng)分辨率：8nm
3. 位移偏碼：線(xiàn)性，零滯后
4. 位移：閉環(huán)定位
5. 線(xiàn)性位移編碼分辨率：50nm
6. 重復(fù)性：250nm
7. 抗震光學(xué)平臺(tái)采用蜂巢狀的內(nèi)部設(shè)計(jì)和硬質(zhì)鋼表面
8. 計(jì)算機(jī)通訊方式：USB接口; 儀器與儀器之間以以太網(wǎng)連接
9. 控制與分析軟件：隨機(jī)提供軟件預(yù)裝的高性能筆記本電腦。單一軟件平臺(tái)控制所有多種掃描探針技術(shù)；內(nèi)嵌3D數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)視圖功能，提高圖形的展現(xiàn)力；結(jié)果可以圖像或表格形式輸出，用于導(dǎo)入至其它分析或報(bào)告軟件。
10. 大樣品池：VersaScan L池（選配件）
11. SECM電化學(xué)微池：VersaScan mL池 （選配件）
12. 樣品觀察系統(tǒng)：VersaCAM，含相機(jī)、鏡頭、顯示屏（選配件）
13. 微區(qū)技術(shù)：SECM、SVET、SKP、LEIS、SDC、OSP（可選配）
軟件特性： 控制：計(jì)算機(jī)控制探針移動(dòng)、數(shù)字式/連續(xù)掃 描、掃描范圍、速度、數(shù)據(jù)采集精度等；
操作：簡(jiǎn)便易用、線(xiàn)性解碼實(shí)時(shí)位移顯示；
測(cè)量：先掃描后數(shù)據(jù)采集、面掃單軸可高達(dá)70,000數(shù)據(jù)點(diǎn);
結(jié)果：ASCII數(shù)據(jù)文件；標(biāo)準(zhǔn)配置2D和3D彩色圖像顯示和輸出
主要特點(diǎn)： SECM是一個(gè)精密的掃描微電極系統(tǒng)，具有空間分辨率。它在溶液中可檢測(cè)電流或施加電流于微電極與樣品之間。SECM與EC-STM、EC-AFM具有互補(bǔ)性，EC-STM和EC-AFM是對(duì)溶液中樣品表面進(jìn)行原子級(jí)和納米級(jí)成像分析，EC-STM和EC-AFM更多地展現(xiàn)了電化學(xué)過(guò)程的表面物理圖像。而SECM則用于檢測(cè)、分析或改變樣品在溶液中的表面和界面化學(xué)性質(zhì)。SECM具有高分辨率、易操作、測(cè)試樣品更接近實(shí)際應(yīng)用情況等特點(diǎn)，適用于分析研究各種實(shí)時(shí)和原位的電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。EC-STM和EC-AFM強(qiáng)調(diào)的是結(jié)果，而SECM注重的是過(guò)程和結(jié)果。
SECM有很多潛在的應(yīng)用，目前主要用于電沉積和腐蝕科學(xué)中的表面反應(yīng)過(guò)程基礎(chǔ)研究、酶穩(wěn)定性研究、生物大分子的電化學(xué)反應(yīng)特性以及微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等領(lǐng)域。
SVET-SKP系統(tǒng)工作特點(diǎn)： 1．非接觸測(cè)量，不干擾測(cè)定體系；
2. 對(duì)界面區(qū)狀態(tài)的變化敏感，如材料表面和表面膜元素分布，
應(yīng)力分布，界面區(qū)化學(xué)分布，電化學(xué)分布的變化；
3. 測(cè)定金屬、絕緣膜下金屬和半導(dǎo)體電位分布；
4. 10E-12A~10E-15A 數(shù)量級(jí)的極弱交流信號(hào)的測(cè)量，測(cè)定裝置必須具
有很高的抗干擾能力；
5．在線(xiàn)（In-situ）圖示樣品微區(qū)電化學(xué)和樣品表面變化過(guò)程等；
6．一維、二維和三維圖示與分析（3D軟件為標(biāo)配）；
7．特別適用液相和大氣環(huán)境下的材料表面和界面的微區(qū)顯微分析。
SVET與SKP系統(tǒng)的結(jié)合
SRET和SVET主要測(cè)量材料在液體電解質(zhì)環(huán)境下的局部電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程；SKP能夠測(cè)量材料在不同濕度大氣環(huán)境下，甚至其它氣體環(huán)境下的微區(qū)特性及其隨環(huán)境變化過(guò)程等?，F(xiàn)在公司將用于液體電解質(zhì)環(huán)境下的局部電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的SVET和用于大氣環(huán)境下的SKP技術(shù)有機(jī)的結(jié)合在一起，極大地拓展了您的研究領(lǐng)域，有效地利用資源，降低了您的購(gòu)買(mǎi)費(fèi)用。
