基型技術(shù)指標(biāo)：◆溫度控制：控溫范圍：室溫上7℃～400℃（增量1℃）控溫對(duì)象：柱箱、離子化室、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器A、進(jìn)樣器B、輔助（備用）程升階數(shù)：五階程升速率：0

基型技術(shù)指標(biāo)：

◆溫度控制：

控溫范圍：室溫上7℃～400℃（增量1℃）

控溫對(duì)象：柱箱、離子化室、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器A、進(jìn)樣器B、輔助（備用）

程升階數(shù)：五階

程升速率：0.1℃～40℃/min（增量0.1℃）

◆火焰離子化檢測(cè)器（FID）：

敏感度：DFID≤1×10^-11g/s（樣品：C₁₆）

測(cè)試結(jié)果：DFID≤5×10^-12g/s

基線噪聲：≤5×10^-14A

基線漂移：≤6×10^-13A/h

線性范圍：≥10⁶

GC122專用選配檢測(cè)器：