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- 公司名稱 上海奕楓儀器設(shè)備有限公司
- 品牌
- 型號(hào) RAMSES
- 所在地 上海市
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2016/1/5 13:00:00
- 訪問(wèn)次數(shù) 611
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高光譜,連續(xù)采集光譜數(shù)據(jù)??蓽y(cè)量輻照度和輻亮度,可用于水中測(cè)量,也可用于空氣中測(cè)量。
RAMSES系列傳感器采集目標(biāo)光譜信息,通過(guò)分析光譜文件,從中取得與研究目標(biāo)相關(guān)的光譜信息與測(cè)量數(shù)據(jù)。該儀器為精確的高光譜分析應(yīng)用提供*方便??蓽y(cè)量輻照度和輻亮度,可用于水中測(cè)量,也可用于空氣中測(cè)量。
特點(diǎn):
輻照度和輻亮度測(cè)量
傳感器式設(shè)計(jì)
低功耗
體積小
應(yīng)用范圍廣
精度高
空氣和水中校準(zhǔn)
模塊化系統(tǒng)
的納米涂層技術(shù)
應(yīng)用:
光譜數(shù)據(jù)在線連續(xù)監(jiān)測(cè)
衛(wèi)星數(shù)據(jù)驗(yàn)證--衛(wèi)星數(shù)據(jù)的地面實(shí)證
生物學(xué)--光照、紫外對(duì)生物的影響
光合作用--在不同光譜條件植物生長(zhǎng)研究
顏色測(cè)量
氣候?qū)W--大氣研究
水色遙感
根據(jù)測(cè)量類(lèi)型、收集器類(lèi)型等不同,該系列可分成四類(lèi):
*類(lèi) RAMSES-ARC 高光譜UV-VIS 輻亮度傳感器
參數(shù):
field of view: 7° in air
波長(zhǎng): 320 - 950 nm
檢測(cè)器: 256 通道硅膜光電陣列
光譜采樣: 3.3nm/pixel
光譜精度: 0.3nm
實(shí)際使用通道: 190
典型飽和度(at 200nm): 1wm-2 nm-1 sr -1
第二類(lèi) RAMSES-ACC-VIS 高光譜UV-VIS 余弦輻照度傳感器
參數(shù):
收集器類(lèi)型:余弦檢測(cè)器
波長(zhǎng): 320 - 950 nm
檢測(cè)器: 256 channel silicon photodiode array
光譜采樣: 3.3nm/pixel
光譜精度: 0.3nm
實(shí)際使用通道: 190
典型飽和度(4 ms integration time):
10 W m-2 nm-1 (at 400nm)
8 W m-2 nm-1 (at 500nm)
14 W m-2 nm-1 (at 700nm)
典型NEI(8 sec integration time):
0.4 µW m-2 nm-1 (at 400nm)
0.4 µW m-2 nm-1 (at 500nm)
0.6 µW m-2 nm-1 (at 700nm)
第三類(lèi) RAMSES-ACC-UV 高光譜紫外余弦輻照度傳感器
參數(shù):
收集器類(lèi)型: 余弦檢測(cè)器
波長(zhǎng): 280 - 500 nm
檢測(cè)器: 256 通道硅光敏二極管陣列
光譜采樣: 2.2 nm/pixel
光譜精度: 0.2 nm
實(shí)際使用通道: 100
典型飽和度(4ms integration time):
20 W m-2 nm-1 sr -1 (at 300nm)
17 W m-2 nm-1 sr -1 (at 360nm)
18W m-2 nm-1 sr -1 (at 500nm)
典型NEI(8ms integration time):
0.85 µW m-2 nm-1 sr -1 (at 300nm)
0.75 µW m-2 nm-1 sr -1 (at 360nm)
0.80 µW m-2 nm-1 sr -1 (at 500nm)
第四類(lèi) RAMSES-ASC-VIS 高光譜UV-VIS Scalar輻照度傳感器
參數(shù):
收集器類(lèi)型: 球形檢測(cè)器 2 Pi
波長(zhǎng): 320 - 950 nm
檢測(cè)器: 256 channel silicon photodiode array
光譜采樣: 3.3nm/pixel
光譜精度: 0.3nm
實(shí)際使用通道: 190
典型飽和度(4 ms integration time):
20 W m-2 nm-1 (at 400nm)
12 W m-2 nm-1 (at 500nm)
15 W m-2 nm-1 (at 700nm)
典型NEI(8 sec integration time):
0.8 µW m-2 nm-1 (at 400nm)
0.6 µW m-2 nm-1 (at 500nm)
0.8 µW m-2 nm-1 (at 700nm)
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