數(shù)字電路存儲器產(chǎn)品DS1250Y更新：2022-12-30 13:16:51點(diǎn)擊：產(chǎn)品品牌MAXI產(chǎn)品型號DS1250Y產(chǎn)品描述DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。...PDF下載 詢價 申請樣品

概述

DSk、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

關(guān)鍵特性

無外部電源時至少可以保存數(shù)據(jù)10年

掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù)

替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

沒有寫次數(shù)限制

低功耗CMOS操作

70ns的讀寫存取時間

次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，為IND

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝

PowerCap模塊(PCM)封裝

表面貼裝模塊

可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸