C-25型單面光刻機(jī) 高精度
主要用途
主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。
由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)，找平力小、使本機(jī)不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
主要構(gòu)成
主要由高精度對準(zhǔn)工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統(tǒng)、采用高均勻性的多點(diǎn)光源、 蠅眼、LED、曝光頭，PLC電控系統(tǒng)、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。
主要性能指標(biāo)
1有三種版夾盤,能真空吸附5" ×5"或4" ×4"或3" ×3"方形掩板。對版的厚度無特殊要求（1～4mm皆可）。如果不同于上述尺寸的版，真空無法吸附，但可采用夾盤上的螺孔，和特殊的壓片固定版。
2設(shè)有相對應(yīng)的真空吸附基片的“承片臺”三個(gè)，分別適用于φ4，φ3，φ2片。對于非標(biāo)準(zhǔn)片或碎片，只要堵塞相應(yīng)的小孔，同樣能真空吸附。
3照明
光源：采用GCQ350Z型超高壓水銀直流汞燈。
照明范圍：≤110mm
不均勻性：ф100mm內(nèi)±3%
可使用的波長：g線、h線、I線的組合。
成象面照明：光照度2～20毫瓦/厘米2,任意可調(diào)(出廠時(shí),照明度調(diào)在4mw/cm2)。
4采用進(jìn)口時(shí)間繼電器（該繼電器可從0.1秒～999.9秒預(yù)設(shè)）控制真空快門，動作準(zhǔn)確可靠。
5該機(jī)為接觸式光刻機(jī)，但可實(shí)現(xiàn)：
a. 硬接觸曝光：用管道真空來獲得高真空接觸,真空≤-0.05MPα。
b. 軟接觸曝光：接觸壓力可將真空降到-0.02MPα～-0.05MPα之間。
c. 微力接觸曝光：小于軟接觸,真空≥-0.02MPα。
6分辯率估計(jì)
如果用戶的“版”、“片”精度符合國家規(guī)定，環(huán)境、溫度、濕度、塵埃得到嚴(yán)格控制，采用正性光刻膠，且勻膠厚度得到嚴(yán)格控制。加之前后工藝的話，硬接觸曝光的最小分辨度可達(dá)1μm以上。如果作為批量生產(chǎn),建議使用在1.5μm以上。
7對準(zhǔn)
對準(zhǔn)顯微鏡：
1、由兩支變焦顯微鏡，兩支CCD攝像頭，一臺液晶顯示器和X.Z方向調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)組成。
2、該顯微鏡雙物鏡距離可調(diào)。
3、該顯微鏡既可通過顯示屏同時(shí)看見兩物鏡的象，也可轉(zhuǎn)換成只看左物鏡或右物鏡的象。
4、總放大倍數(shù)：0.7×42～4.5×42=30X～189X。
對準(zhǔn)臺：（采用片動，版不動方式）
X、Y調(diào)整：硅片X、Y的對準(zhǔn)采用切斯曼機(jī)構(gòu)或微分頭調(diào)節(jié)。
粗調(diào)≥±3mm
細(xì)調(diào)≤±0.3mm。
Q調(diào)整：轉(zhuǎn)角≤3°（另設(shè)粗調(diào)機(jī)構(gòu)，可進(jìn)行±15°粗調(diào)）
對準(zhǔn)間隙（分離間隙）0∽50μm任意可調(diào)。
整個(gè)對準(zhǔn)臺相對于顯微鏡可作±15mm掃描運(yùn)動。
“接觸、分離”20μm情況下，片相對于版的“漂移量”，可調(diào)到≤0.5μm。
8設(shè)備所需能源
主機(jī)電源： 220V±10% 50HZ
潔凈空氣≥0.4mpα
真空：-0.07～－0.08MPα。
9尺寸和重量
尺寸：機(jī)體900（長）×674（寬）×882（高）。
重量：150Kg。
機(jī)體放在專用工作臺上。
工作臺630（長）×654（寬）×645（高）。
高度可調(diào)范圍0～30mm。
重量180Kg（工作臺后側(cè)裝有電氣部分）。
總重量≤330Kg
10光刻機(jī)的組成
l 主機(jī)
主機(jī)（含機(jī)體和工作臺）
對準(zhǔn)采用CCD雙視場系統(tǒng)
蠅眼光源曝光頭
l 附件
主機(jī)附件
3"□型掩版夾盤
4"□型掩版夾盤（出廠時(shí)安裝到機(jī)器上）
5"□型掩版夾盤。
用于φ2"基片的真空夾持承片臺。
用于φ3"基片的真空夾持承片臺（出廠時(shí)安裝到機(jī)器上）。
用于φ4"基片的真空夾持承片臺。
