普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。更多有關(guān)分立器件來料檢測儀iv|cv曲線分析儀詳情上普賽斯儀表咨詢
產(chǎn)品特點(diǎn)：
30μV-1200V；1pA-100A寬量程測試能力；
測量精度高，全量程下可達(dá)0.03%精度；
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便；
自動實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；
在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)；
免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集；
典型應(yīng)用：
納米、柔性等材料特性分析；
二極管；
MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；
第三代半導(dǎo)體材料/器件；
有機(jī)OFET器件；
LED、OLED、光電器件；
半導(dǎo)體電阻式等傳感器；
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量；
太陽能電池；
非易失性存儲設(shè)備；
失效分析；
系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格
訂貨信息
硬件指標(biāo)-IV測試
半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測試，都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號，是半導(dǎo)體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據(jù)測試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配，實(shí)現(xiàn)測試測試效率與開支的平衡。
靈活可定制化的夾具方案
針對市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點(diǎn)，可
用于二極管、三極管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測試;也可與探針臺連接，實(shí)現(xiàn)晶圓級芯片
測試。
探針臺連接示意圖
