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KRi 射頻離子源 RFICP 100 應用于國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機 IBSD
上海伯東美國 KRi 射頻離子源應用于國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機 IBSD
上海伯東客戶某高校使用國產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機用于金屬薄膜制備, 工藝過程中, 國產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個小時就會燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無法滿足長時間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導致薄膜質(zhì)量低的情況. 客戶需要離子源的穩(wěn)定工作時間不低于 48個小時, 經(jīng)過伯東推薦最終改用美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100 替換原有的國產(chǎn)離子源, 單次工藝時間可以達到數(shù)百小時, 符合客戶長時間鍍膜的工藝要求, 維持高穩(wěn)定離子束濺射工藝獲得高品質(zhì)薄膜.
上海伯東真空濺射鍍膜機離子源改造方案:
根據(jù)客戶 4寸基材和工藝條件, 推薦選用射頻離子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自動控制器, 替換國產(chǎn)離子源后可以長時間工作( 時長＞100h)！
1. 設備: 國產(chǎn)離子束濺射鍍膜機 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 鍍鉭 Ta 單層非晶薄膜
3. 美國 KRi 射頻離子源 RFICP 100, 氣體：Ar gas
4. 離子源條件: Vb max:1200V ( 離子束電壓 ), Ib max:＞400mA ( 離子束電流 ).jpg)
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上海伯東射頻離子源 RFICP 100 主要技術規(guī)格:
小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流.
射頻功率 | 600W |
離子束電流 | > 400mA |
離子束電壓 | 100-1200eV |
氣體 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-20 sccm |
工作壓力 | < 0.5mTorr |
離子束柵極 | 10cm Φ |
柵極材質(zhì) | 鉬, 石墨 |
離子束流形狀 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 23.5 cm |
直徑 | 19.1 cm |
安裝法蘭 | 10”CF 或 內(nèi)置型 1”引入端子 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設計原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解美國 KRi 離子源詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式
上海伯東: 羅小姐
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展會城市：株洲市展會時間：2025-05-08