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簡(jiǎn)介：硒化鈦1T-TiSe2（TitaniumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.354nm,c=0.601nm,α=β=90...

簡(jiǎn)介：二硒化釩晶體VSe2（VanadiumDiselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬，電荷密度波（CDW）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.336nm,c=0.609nm,α=β=90...

簡(jiǎn)介：二硒化鎢晶體WSe2（TungstenDiselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.328nm,c=1.298nm,α=β=90#17...

簡(jiǎn)介：二硒化鋯晶體ZrSe2（ZirconiumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.377,c=0.614nm,α=β=90#176;,γ=120#...

簡(jiǎn)介：晶體尺寸：亞毫米大小電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本稻О麉?shù)：a=1.217nm，B=0.3688nm，C=0.8381nm，α=γ=90#176;，β=102.87晶體類型：合成晶體純度：＞99...

簡(jiǎn)介：晶體尺寸：8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡绷拙О麉?shù)：a=0.541nm，B=0.375nm，C=0.944nm，α=γ=90#176;，γ=97.50晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%...

簡(jiǎn)介：三硒化鋯晶體（99.995%）ZrSe3（ZirconiumTriselenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：?jiǎn)涡本稻О麉?shù)：a=0.541nm,b=0.375nm,c=0.9...

簡(jiǎn)介：二硒化鉬晶體2H-MoSe2（MolybdenumDiselenide）-N型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：N型半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.329nm,c=1.289nm,α=β=...

簡(jiǎn)介：二硒化鎢晶體WSe2（TungstenDiselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，P型晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.328nm,c=1.298nm,α=β=90#17...

簡(jiǎn)介：硒化銦晶體（99.995%）InSe晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過(guò)渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3...